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金沙贵宾会官网​美高森美推出最新SiC MOSFET和SiC SBD付加物

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据通晓,致力于在耗能、安全、可信赖性和属性方面提供差别化半导体技术方案的当先中间商美高森美公司公布提供下一代1200V
碳化硅(SiC) MOSFET种类的首个款式成品40 mOhm
MSC040SMA120B器件,以至与之匹配的1200 V
SiC肖特基势垒电子二极管(SBD),进一层扩展旗下增加的SiC分立器件和模块产物组合。

汽车、工业、太空和国防领域特别要求能晋级系统功能、稳健性和功率密度的SiC功率付加物。明天,Microchip
Technology
Inc.通过其分行Microsemi发布推出风流倜傥连串SiC功率器件。该种类器件具备出色的耐用性,以致宽带隙手艺优势。它们将与Microchip种种单片机和效仿解决方案产生优势互补,参预Microchip不断强大的SiC成品组合,满意电动小车和其他大功率应用领域飞速发展的市镇需要。

新近,Microchip
Technology通过其分行Microsemi发表推出风流罗曼蒂克多元SiC功率器件。该类别器件拥有能够的耐用性,以致宽带隙本领优势。它们将与Microchip各种单片机和效仿解决方案造成优势互补,加入Microchip不断增加的SiC产品组合,满意电动小车和其余大功率应用领域飞快发展的市镇供给。据悉,Microchip的700V
SiC MOSFET和700V、1200V
SiC肖特基势垒晶体三极管将加入公司现存的SiC功率模块付加物组合。该结合新添的高出35款分立器件付加物均已兑现量产,并因而了适度从紧的耐用性测验,Microchip可提供全面包车型大巴支付服务、工具和参谋设计支撑。Microchip近期提供额定电压、额定电流和种种封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。

那款全新SiC
MOSFET成品俯拾即是具备高雪崩品质,体现了在工业、小车和生意大利航空公司空电源应用中的耐用性,何况提供了贯彻稳健运维的高耐短路技能。其余,该产物比比皆是的其余成员将要今后几个月内时断时续发布,满含切合商业和AEC-Q101行业内部的700
V和1200 V SiC MOSFET应用方案,以卓绝美高森美新宣布的SiC
SBD器件所指向的广大电源应用。

金沙贵宾会官网,Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V
SiC肖特基势垒二极管将步向集团现成的SiC功率模块付加物组合。该结合新扩充的超过35款分立器件付加物均已兑现量产,并因而了严刻的耐用性测量试验,Microchip可提供完备的付出服务、工具和参照他事他说加以考察设计支撑。Microchip这段日子提供额定电压、额定电流和各个封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。

Microchip发布推出碳化硅付加物

美高森美副老板兼功率分立和模块业务部门高管Leon 格罗斯表示:“我们新的SiC
MOSFET产物两种为客户提供了更敏捷开关和高可信赖性的优势,极其是与硅面结型三极管、硅MOSFET和绝缘栅双极二极管(IGBT)施工方案比较,大家的优势进一层肯定。静心于开垦用于恶劣条件的高性能价格比电力电子施工方案的客商,能够从那几个新一代付加物中精选优异的缓和方案,它们都能够依据实际的SiC
MOSFET须求开展扩充。”

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